德國(guó)、法國(guó)、意大利、荷蘭、比利時(shí)和其他歐洲國(guó)家，以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭和其他東歐國(guó)家，大多采用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體分立器件模型命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部分組成，每個(gè)部分的符號(hào)和含義如下：。三個(gè)數(shù)字--代表通用半導(dǎo)體器件的注冊(cè)序列號(hào)，一個(gè)字母加兩個(gè)數(shù)字--代表專用半導(dǎo)體設(shè)備的注冊(cè)序列號(hào)。

德國(guó)、法國(guó)、意大利、荷蘭、比利時(shí)和其他歐洲國(guó)家，以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭和其他東歐國(guó)家，大多采用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體分立器件模型命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部分組成，每個(gè)部分的符號(hào)和含義如下：

第 一部分：用字母表示器件中使用的材料。帶隙Eg=0.6~1.0eV，用于鍺等A-器件的材料，如硅等B-器件中所用材料的Eg=1.0~1.3eV，如砷化鎵等C器件所用材料的大于1.3eV，如D-器件中所用材料如銦銻、復(fù)合材料和E-器件中光電池中所用材料的<0.6eV"。

第 二部分：裝置的類型和主要特點(diǎn)用字母表示。A型開關(guān)混合二極管、B型變?nèi)荻O管、C-低頻低功率晶體管、D-低頻大功率晶體管、E-隧 道二極管、F-高頻低功率晶體管、G-復(fù)合器件、H-磁二極管、K型開路磁路霍爾元件、L-高頻大功率晶體管、M-閉合磁路霍爾元件、P光度計(jì)、Q-發(fā)光器件、R-低功率晶閘管、S-低功率開關(guān)、T-大功率晶閘管、U-大功率開關(guān)、X倍增器二極管、Y-整流二極管、Z-電壓穩(wěn)定二極管。

第三部分：使用數(shù)字或字母加數(shù)字來(lái)表示注冊(cè)號(hào)碼。三個(gè)數(shù)字--代表通用半導(dǎo)體器件的注冊(cè)序列號(hào)，一個(gè)字母加兩個(gè)數(shù)字--代表專用半導(dǎo)體設(shè)備的注冊(cè)序列號(hào)。

第四部分：用字母對(duì)同一類型的設(shè)備進(jìn)行分類。a、B、C、D、E/E標(biāo)志著同一類型的設(shè)備按某一參數(shù)分類。

本文標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件 三極管 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 半導(dǎo)體材料 上一篇：半導(dǎo)體器件的標(biāo)記與含義3 下一篇：半導(dǎo)體器件的標(biāo)記后綴