薄膜電阻是用真空沉積法在氧化鋁陶瓷基板之上形成鉻鎳薄膜，厚度通常只有0.1um，僅為厚膜電阻的千分之一，然后用光刻法將薄膜蝕刻成一定形狀。因此，可以很好地控制薄膜電容器的性能。薄膜電阻器對溫度敏感的沉積層有一個最佳厚度，但最佳膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴重限制了可能的電阻值的范圍。此外，改變最佳膜厚會嚴重影響TCR。TCR是一個不能忽略的小參數(shù)。普通1%電阻器的TCR系數(shù)在幾千ppm/°C的范圍之內(nèi)。

薄膜電阻是用真空沉積法在氧化鋁陶瓷基板之上形成鉻鎳薄膜，厚度通常只有0.1um，僅為厚膜電阻的千分之一，然后用光刻法將薄膜蝕刻成一定形狀。光刻工藝是如此精確，可以形成復雜的形狀。因此，可以很好地控制薄膜電容器的性能。

薄膜電阻器對溫度敏感的沉積層有一個最佳厚度，但最佳膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴重限制了可能的電阻值的范圍。因此，可以通過使用不同的沉積層厚度來實現(xiàn)不同的電阻范圍。薄膜電阻的穩(wěn)定性受溫度升高的影響。薄膜電阻穩(wěn)定性的老化過程是實現(xiàn)不同電阻值所需的薄膜厚度的函數(shù)，因此在整個電阻范圍之內(nèi)是可變的。這種化學/機械時效還包括電阻合金的高溫氧化。此外，改變最佳膜厚會嚴重影響TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，高電阻率薄膜具有非常高的電阻衰減率。

TCR是一個不能忽略的小參數(shù)。它的單位是ppm/°C（每°C溫度變化引起的電阻值變化是百萬分之幾）。普通1%電阻器的TCR系數(shù)在幾千ppm/°C的范圍之內(nèi)?？傠娮柚档淖兓c電阻器的材料、實際功率和物理尺寸有關。厚膜電阻取決于玻璃基體之中顆粒間的接觸而形成的電阻。這些觸點形成一個完整的電阻，但操作中的熱應力中斷了觸點。在大多數(shù)情況之下，厚膜電阻不會平行打開，但是電阻值會隨著時間和溫度的增加而繼續(xù)增大。因此，厚膜電阻器比其他電阻器技術不太穩(wěn)定（時間、溫度和功率）。

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