薄膜電阻器是在氧化鋁陶瓷基片上通過(guò)真空沉積形成的鉻鎳薄膜，通常只有0.1um厚，只有厚膜電阻的千分之一，然后通過(guò)光刻將薄膜刻蝕成一定的形狀。因此，可以很好地控制薄膜電容器的性能。薄膜電阻器具有最佳的溫敏沉積層厚度，但最佳薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴(yán)重限制了可能的電阻值范圍。此外，改變最佳膜厚會(huì)嚴(yán)重影響TCR。TCR是一個(gè)不可忽視的小參數(shù)。1%普通電阻的TCR系數(shù)為幾千ppm/°C的范圍內(nèi)。

薄膜電阻器是在氧化鋁陶瓷基片上通過(guò)真空沉積形成的鉻鎳薄膜，通常只有0.1um厚，只有厚膜電阻的千分之一，然后通過(guò)光刻將薄膜刻蝕成一定的形狀。光刻工藝非常精確，可以形成復(fù)雜的形狀。因此，可以很好地控制薄膜電容器的性能

薄膜電阻器具有最佳的溫敏沉積層厚度，但最佳薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴(yán)重限制了可能的電阻值范圍。因此，通過(guò)使用不同的沉積厚度可以獲得不同的電阻范圍。薄膜電阻的穩(wěn)定性受溫度升高的影響。薄膜電阻穩(wěn)定性的老化過(guò)程隨著達(dá)到不同電阻值所需的薄膜厚度而變化，因此在整個(gè)電阻范圍內(nèi)是可變的。這種化學(xué)/機(jī)械老化還包括電阻合金的高溫氧化。此外，改變最佳膜厚會(huì)嚴(yán)重影響TCR。因?yàn)樵奖〉某练e層越容易氧化，高阻薄膜的電阻衰減率很高

TCR是一個(gè)不可忽視的小參數(shù)。其單位為ppm/℃（每℃溫度變化引起的電阻變化是百萬(wàn)分之幾）1%普通電阻的TCR系數(shù)為幾千ppm/°C的范圍內(nèi)。總電阻值的變化和電阻的材料、實(shí)際功率與物理尺寸有關(guān)。厚膜電阻依靠玻璃基體中顆粒之間的接觸形成電阻。這些觸點(diǎn)形成一個(gè)完整的電阻，但是運(yùn)行中的熱應(yīng)變會(huì)中斷觸點(diǎn)。在大多數(shù)情況下，厚膜電阻不會(huì)并聯(lián)開(kāi)路，但電阻值會(huì)隨著時(shí)間和溫度不斷增加。因此，與其他電阻技術(shù)相比，厚膜電阻的穩(wěn)定性較差（時(shí)間、溫度和功率）

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