陶瓷片電容的結(jié)構(gòu)，陶瓷介質(zhì)一般為BaTiO 3，內(nèi)電極導(dǎo)體一般為Ag或AgPd，多層陶瓷結(jié)構(gòu)采用高溫?zé)Y(jié)。器件端面涂層(外電極)通常是燒結(jié)Ag/AgPd，然后制備Ni阻隔層，然后在Ni層上制備Sn或SnPb層供焊 接。近年來，也有采用Cu的MLCC產(chǎn)品。燒成溫度一般在1300℃以上。高溫保溫時(shí)間過短，固相反應(yīng)不完全徹 底，影響了整個(gè)鑄 坯的組織，導(dǎo)致電性能的劣化，稱為生燒。

下面簡(jiǎn)單介紹陶瓷電容的主要加工環(huán)節(jié)。

1）制備成型。原料經(jīng)過煅燒、粉碎、混合，達(dá)到一定的顆粒細(xì)度，越細(xì)越好。然后根據(jù)電容器結(jié)構(gòu)的形狀，形成陶瓷介質(zhì)坯體；

2）燒成:對(duì)陶瓷坯體進(jìn)行高溫處理，使其成為電性能優(yōu)良機(jī)械強(qiáng)度高的瓷體。燒成溫度一般在1300℃以上。 高溫保溫時(shí)間過短，固相反應(yīng)不完全徹 底，影響了整個(gè)鑄 坯的組織，導(dǎo)致電性能的劣化，稱為生燒。 高溫保溫時(shí)間過長(zhǎng)，鑄 坯產(chǎn)生 發(fā)泡變形，晶粒尺寸增 大，電性能惡化，導(dǎo)致過燒；

3）接著是電極制造，鉛焊 接，涂裝和封裝。

陶瓷片電容的結(jié)構(gòu)，陶瓷介質(zhì)一般為BaTiO 3，內(nèi)電極導(dǎo)體一般為Ag或AgPd，多層陶瓷結(jié)構(gòu)采用高溫?zé)Y(jié)。器件端面涂層(外電極)通常是燒結(jié)Ag/AgPd，然后制備Ni阻隔層(以阻止內(nèi)部Ag/AgPd材料與外界Sn反應(yīng))，然后在Ni層上制備Sn或SnPb層供焊 接。近年來，也有采用Cu的MLCC產(chǎn)品。

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