晶體二極管是一種由P型和N型半導(dǎo)體形成的pn結(jié)組成的單向?qū)щ姷膬啥嗽骷?。在界面兩?cè)形成空間電荷層，并產(chǎn)生自建電場。它目前所具有的方向性，就是我們通常所說的矯正。

當(dāng)沒有外加電壓時(shí)，自建電場引起的漂移電流等于pn結(jié)兩側(cè)載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流，達(dá)到電平衡狀態(tài)。當(dāng)外加直流偏置時(shí)，自建電場與外加電場的相互抑制使載流子擴(kuò)散電流增大，產(chǎn)生正向電流。當(dāng)施加外部反向偏置時(shí)，自建電場和外部電場變強(qiáng)，在一定的電壓范圍內(nèi)形成與反向偏置值無關(guān)的反向飽和電流。當(dāng)反向電壓達(dá)到一定水平時(shí)，pn結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度將達(dá)到一個(gè)臨界值，載流子倍增和大量電子空穴對(duì)的產(chǎn)生將產(chǎn)生較大的反向電壓值。方向擊穿電流，這就是經(jīng)常提到的二極管擊穿現(xiàn)象。

根據(jù)這種反向擊穿原理，可分為雪崩擊穿和齊納擊穿兩種類型。當(dāng)反向電壓增加到較大值時(shí)，所施加的電場增加了電子的漂移速度，使它們與共價(jià)鍵中的價(jià)電子發(fā)生碰撞。價(jià)電子脫離共價(jià)鍵，生成新的電子?？昭▽?duì)被電場加速并與其他價(jià)電子碰撞。這時(shí)，載流子雪崩增加，導(dǎo)致電流急劇增加。這種擊穿現(xiàn)象稱為雪崩擊穿。

在高摻雜濃度的條件下，由于勢壘區(qū)的反向電壓大，寬度小，勢壘區(qū)的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)被破壞，導(dǎo)致價(jià)電子的脫離和電子—空穴對(duì)的產(chǎn)生，導(dǎo)致電流急劇增加。增加，這種擊穿現(xiàn)象稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度低，勢壘區(qū)的寬度是寬的，齊納擊穿是不太可能發(fā)生的。無論擊穿類型如何，如果不限制電流，PN結(jié)可能會(huì)發(fā)生永久性損壞。

本文標(biāo)簽：二極管 半導(dǎo)體二極管 二極管擊穿 上一篇：鋁電解電容器的失效模式 下一篇：片式繞線電感的作用