封裝型硅膠DC/DC模塊電源的電阻硫化是由于周圍空氣中存在硫化物，而硅膠對硫化物有吸附作用。由于在電阻上澆注了硅膠，硅膠中的硫化物很容易通過電阻端電極與二次保護涂層之間的界面孔隙或間隙進入電阻表面電極，導致表面電極材料中的銀硫化并形成低導電性硫化銀，這導致電阻的電阻值增加，直到開路。

封裝型硅膠DC/DC模塊電源的電阻硫化是由于周圍空氣中存在硫化物，而硅膠對硫化物有吸附作用。同時，在電阻端電極與二次保護層的連接處，無論是電鍍過程中存在的孔隙或縫隙，還是焊 接過程異常造成的縫隙，空氣中的硫化物被硅膠吸收，硅膠形成微孔結(jié)構，硅膠的比表面積為500-600m2/g，因此硅膠中硫化物的濃度不斷增加。由于在電阻上澆注了硅膠，硅膠中的硫化物很容易通過電阻端電極與二次保護涂層之間的界面孔隙或間隙進入電阻表面電極，導致表面電極材料中的銀硫化并形成低導電性硫化銀，這導致電阻的電阻值增加，直到開路。

抗硫化電阻，以避免電阻硫化，好的方法是使用抗硫化（或全膜工藝電阻，或插件電阻）

風華高科技抗硫化擴展了二次保護涂層的設計尺寸，并允許底部電極被二次保護覆蓋到一定尺寸。在電鍍中，鎳層和錫層很容易被二次保護層覆蓋。這樣，相對較弱的二次保護涂層的邊緣不直接暴露在空氣環(huán)境中，提高了產(chǎn)品的抗硫化能力，設計思路是從封裝和覆蓋的角度出發(fā)。Rohm的抗硫化設計，保護層采用碳導電樹脂膠粘劑，覆蓋在表面電極上，并延伸到第 二保護層.

另一抗硫化設計是從材料的角度考慮，如提高表面電極Ag/PD漿料中鈀的含量，將鈀（質(zhì)量分數(shù)）的含量從通常的0.5%提高到10%以上。由于礦漿中鈀含量的增加，鈀的穩(wěn)定性提高了抗硫化性能。實驗表明，該方法是有 效的。

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