鈦酸鋇基陶瓷材料具有高介電系數(shù)、良好的交流耐壓性能，但隨著介質(zhì)溫度的升高，電容的變化率也較大、絕緣電阻低等特點(diǎn)。鈦酸鍶晶體的居里溫度為-250℃.室溫下為立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。它是順電體，沒有自發(fā)極化。在高壓下，鈦酸鍶基陶瓷材料的介電常數(shù)變化很小，低Tg的δ多層陶瓷電容器是應(yīng)用最廣泛的片式元件之一。它是一種片式單片電容器，由內(nèi)電極材料和陶瓷體交替并聯(lián)，整體燒制而成。

晶界層陶瓷電容器是在晶粒發(fā)育良好的鈦酸鋇半導(dǎo)體陶瓷表面涂覆適量的金屬氧化物（Such as copper oxide or Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等）在適當(dāng)?shù)臏囟群脱趸瘲l件下熱處理后，涂層氧化物與鈦酸鋇形成低共晶相，沿開口和晶界迅速擴(kuò)散到陶瓷中，在晶界形成一層薄薄的固溶體絕緣層。這種薄的固溶體絕緣層的電阻率非常高（高達(dá)1012-1013）Ω·雖然陶瓷顆粒還是半導(dǎo)體，但整個(gè)陶瓷體的表觀介電常數(shù)高達(dá)2×104到8×由這種陶瓷制成的電容器稱為邊界層陶瓷電容器（BL電容器）高壓陶瓷電容器的陶瓷材料有兩種：鈦酸鋇基和鈦酸鍶基。鈦酸鋇基陶瓷材料具有高介電系數(shù)、良好的交流耐壓性能，但隨著介質(zhì)溫度的升高，電容的變化率也較大、絕緣電阻低等特點(diǎn)。

鈦酸鍶晶體的居里溫度為-250℃.室溫下為立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。它是順電體，沒有自發(fā)極化。在高壓下，鈦酸鍶基陶瓷材料的介電常數(shù)變化很小，低Tg的δ多層陶瓷電容器是應(yīng)用廣泛的片式元件之一。它是一種片式單片電容器，由內(nèi)電極材料和陶瓷體交替并聯(lián)，整體燒制而成。它具有體積小、比電容高、精度高等特點(diǎn)。它可以安裝在印刷電路板上（PCB）和混合集成電路（HIC）在基板上，可以有效減少電子信息終端產(chǎn)品（尤其是便攜產(chǎn)品）體積和重量增加，產(chǎn)品的可靠性提高。順應(yīng)it產(chǎn)業(yè)的小型化、輕量化、高性能、多功能的發(fā)展方向。

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