為輸入電容。因?yàn)檩斎腚娙葜饕菫榱四蛪?，其次是為了吸收MOSFET的開關(guān)脈沖。為輸出電容器。好的電容器代表著高品質(zhì)。唯容論曾經(jīng)非常流行，一些廠商和媒體也故意把這件事作為賣點(diǎn)。就像有些廠家可以用兩相電源做出比一些用四相電源的廠家更穩(wěn)定的產(chǎn)品一樣，一味的用高價(jià)電容也不一定能做出好的產(chǎn)品。測(cè)量一個(gè)產(chǎn)品時(shí)，一定要從各個(gè)方面、各個(gè)角度去考慮，切不可有意無(wú)意地夸大電容器的作用。

在電路中無(wú)法確定線路極性時(shí)，建議使用無(wú)極性電解電容器。通過(guò)電解電容器的紋波電流不能超過(guò)其允許范圍。如果超過(guò)規(guī)定值，則需要選擇能夠承受大紋波電流的電容器。電容器的工作電壓不能超過(guò)其額定電壓。焊電容器時(shí)，烙鐵應(yīng)與電容器塑料外殼保持一定距離，防止塑料套管因過(guò)熱而破裂。且焊接時(shí)間不應(yīng)超過(guò)10秒，焊接溫度不應(yīng)超過(guò)260攝氏度。

電容器容量越大越好：很多人在更換電容器時(shí)傾向于使用大容量的電容器。我們知道，雖然電容越大，為集成電路提供電流補(bǔ)償?shù)哪芰驮綇?qiáng)。更不用說(shuō)電容增加導(dǎo)致的體積增加，這增加了成本，也影響了空氣流動(dòng)和散熱。關(guān)鍵是電容上有寄生電感，電容放電電路會(huì)在某個(gè)頻率點(diǎn)發(fā)生諧振。在諧振點(diǎn)，電容器的阻抗很小。因此，放電回路的阻抗最小，能量補(bǔ)充效果最好。但當(dāng)頻率超過(guò)諧振點(diǎn)時(shí)，放電電路的阻抗開始增大，電容器提供電流的能力開始下降。電容器的電容值越大，諧振頻率越低，電容器能有效補(bǔ)償電流的頻率范圍就越小。從保證電容器提供高頻電流的能力的角度來(lái)看，電容器越大越好的觀點(diǎn)是錯(cuò)誤的。在一般電路設(shè)計(jì)中有參考價(jià)值。

對(duì)于相同容量的電容器，并聯(lián)的小電容器越多越好。耐壓、耐溫、電容、電渣重熔（等效電阻）、等等是電容器的幾個(gè)重要參數(shù)。自然，ESR越低越好。電渣重熔與電容、頻率、電壓、溫度等有關(guān)。電容器的。電壓固定時(shí)，容量越大，ESR越低。在電路板設(shè)計(jì)中使用多個(gè)小型電容器并聯(lián)不受PCB空間限制。有人認(rèn)為并聯(lián)的小電阻越多，ESR越低，效果越好。這在理論上是正確的，但必須考慮到電容器引腳焊點(diǎn)的阻抗。如果多個(gè)小電容器并聯(lián)，效果可能并不突出。

血沉越低，效果越好。結(jié)合上面我們改進(jìn)的電源電路，對(duì)于輸入電容，輸入電容的容量要大一些。相對(duì)于容量要求，ESR要求可以適當(dāng)降低。因?yàn)檩斎腚娙葜饕菫榱四蛪?，其次是為了吸收MOSFET的開關(guān)脈沖。對(duì)于輸出電容器，可適當(dāng)降低耐壓要求和容量。對(duì)ESR的要求稍高一些，因?yàn)檫@里需要確保的是足夠的電流。但這里需要注意的是，ESR越低越好。低ESR電容器將導(dǎo)致開關(guān)電路振蕩。阻尼電路的復(fù)雜性也會(huì)導(dǎo)致成本的增加。板設(shè)計(jì)中，這里一般有一個(gè)參考值，它作為元器件選擇參數(shù)，以避免由于減振電路而導(dǎo)致成本的增加。

好的電容器代表著高品質(zhì)。“唯容論”一度非常流行，一些廠商和媒體也刻意把這件事作為賣點(diǎn)。在板設(shè)計(jì)中，電路設(shè)計(jì)水平是關(guān)鍵。就像有些廠家可以用兩相電源做出比一些用四相電源的廠家更穩(wěn)定的產(chǎn)品一樣，一味的用高價(jià)電容也不一定能做出好的產(chǎn)品。測(cè)量一個(gè)產(chǎn)品時(shí)，一定要從各個(gè)方面、各個(gè)角度去考慮，切不可有意無(wú)意地夸大電容器的作用。

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