陶瓷電容器又稱陶瓷或單片電容器。顧名思義，陶瓷介電是用陶瓷介質材料制成的。按結構可分為圖像、管形、矩形、片式、過流電容器等。低壓陶瓷具有介電常數(shù)大、體積小、容量大的特點。分離電容模塊的小型化有兩種基本方法：盡可能提高介質材料的介電常數(shù)；使介質層厚度盡可能薄。首先，鐵電陶瓷薄時易破碎，難以進行實際生產操作。

陶瓷電容器又稱陶瓷或單片電容器。顧名思義，陶瓷介電是用陶瓷介質材料制成的。根據陶瓷材料的不同，可分為低頻陶瓷1～300pf和高頻陶瓷300～22000pf兩種。按結構可分為圖像、管形、矩形、片式、過流等。

由于陶瓷電容器的介電材料是陶瓷介質，具有良好的耐熱性，不易老化，耐酸、堿、鹽腐蝕，具有良好的耐腐蝕性。低壓陶瓷具有介電常數(shù)大、體積小、容量大的特點。陶瓷電容器具有良好的絕緣性能和耐高壓性能，不隨溫度、電壓、時間等變化。

半導體陶瓷電容器，表層陶瓷電容器。電容器的小型化意味著電容器可以在小的體積內獲得大的容量，這是電容器的發(fā)展趨勢之一。分離電容模塊的小型化有兩種基本方法：盡可能提高介質材料的介電常數(shù)；使介質層厚度盡可能薄。在陶瓷材料中，鐵電陶瓷的介電常數(shù)很高，但用鐵電陶瓷制作普通鐵電陶瓷電容器時，陶瓷介質很難變薄。首先，鐵電陶瓷薄時易破碎，難以進行實際生產操作。其次，當陶瓷介質很薄時，很容易產生各種結構陷，因此生產過程非常困難。

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