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          新晨陽(yáng)

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          納微氮化鎵芯片

          產(chǎn)品概述:氮化鎵(GaN)是一種新型的半導(dǎo)體材料,其電場(chǎng)強(qiáng)度比舊的低速硅(Si)高20倍,電子遷移率高出50%,氮化鎵功率芯片由此而來(lái),體積更小,速度更快,更強(qiáng)大,更節(jié)約能量。

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          產(chǎn)品參數(shù) / Product Parameters

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          案例1

          案例2

          新晨陽(yáng)標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際認(rèn)證 / International certification

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          應(yīng)用范圍 / Range of application

          電源行業(yè)案例

          工控行業(yè)案例

          家電行業(yè)案例

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