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CC81高溫補(bǔ)償型圓片瓷介電容器
小電容穩(wěn)定電路和高電容穩(wěn)定電路的損耗值:諧振電路,高頻旁路,電路元件的溫度補(bǔ)償和控制時(shí)間常數(shù),耦合元件的高穩(wěn)定性要求更多 +
- [電子器件百科]獨(dú)石電容的特性2025年07月21日 10:10
- 獨(dú)石電容,作為多層陶瓷電容器的別稱(chēng),英文簡(jiǎn)稱(chēng) MLCC,在電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,常見(jiàn)于電子精密儀器以及各類(lèi)小型電子設(shè)備,承擔(dān)著諧振、耦合、濾波、旁路等關(guān)鍵任務(wù)。其結(jié)構(gòu)由陶瓷介質(zhì)、金屬內(nèi)電極與金屬外電極構(gòu)成,本質(zhì)上是多個(gè)簡(jiǎn)單平行板電容器的并聯(lián)體。
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- [電子器件百科]薄膜電容效能解析2025年04月28日 16:35
- 在電力電子與能量管理領(lǐng)域,薄膜電容器憑借其介質(zhì)穩(wěn)定性與高頻響應(yīng)優(yōu)勢(shì),成為逆變、諧振及脈沖功率系統(tǒng)的核心元件。其以金屬化聚合物薄膜為介質(zhì)載體,通過(guò)微觀結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與自愈機(jī)制創(chuàng)新,在高壓、高頻及長(zhǎng)壽命場(chǎng)景中構(gòu)建起獨(dú)特的性能壁壘。
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- [電子器件百科]瓷介電容工藝探析2025年04月25日 08:59
- 在電子元件的微型化與高頻化趨勢(shì)中,瓷片電容以其穩(wěn)定的介電性能與高可靠性,成為電路諧振、濾波及去耦的核心元件。其制造工藝融合材料科學(xué)與精密加工技術(shù),通過(guò)納米級(jí)介質(zhì)層控制與微觀結(jié)構(gòu)優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)介電常數(shù)、溫度系數(shù)及損耗角正切的精準(zhǔn)調(diào)控。
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- [根欄目]0歐姆電阻的功能解析2025年03月21日 11:16
- 對(duì)于新手來(lái)說(shuō),他們經(jīng)常感到困惑:因?yàn)檫@是一個(gè)0歐姆的電阻,所以它和銅線(xiàn)沒(méi)什么區(qū)別。為什么要安裝它?事實(shí)上,0歐姆電阻仍然非常有用。它可能具有以下功能。事實(shí)上,跳線(xiàn)廣泛應(yīng)用于單個(gè)面板中。0Ω電阻連接,阻抗范圍可控,阻抗足夠低,無(wú)諧振頻率等問(wèn)題。0歐姆電阻的電流電阻相對(duì)較弱。如果電流過(guò)大,首先熔斷0歐姆電阻,以便斷開(kāi)電路,防止更大的事故。您可以根據(jù)后續(xù)產(chǎn)品的功能需求決定是否安裝。
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- [電子器件百科]電感Q值特性解析2025年03月07日 08:42
- 電感品質(zhì)因素(Q值)是衡量電感性能的核心指標(biāo),定義為感抗(XL)與等效串聯(lián)電阻(ESR)的比值(Q=XL/ESR),直接影響能量存儲(chǔ)效率與頻率選擇性。Q值越高,電感在高頻下的損耗越低,諧振特性越優(yōu),從射頻匹配到電源濾波,Q值的設(shè)計(jì)優(yōu)化貫穿電子系統(tǒng)全鏈路。
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- [電子器件百科]陶瓷電容器電子設(shè)備的精密儲(chǔ)能元件2025年02月17日 11:18
- 在現(xiàn)代電子設(shè)備的高頻電路中,陶瓷電容器以其優(yōu)異的電氣性能和穩(wěn)定的溫度特性成為不可或缺的基礎(chǔ)元件。這些采用陶瓷介質(zhì)的多層結(jié)構(gòu)器件,在信號(hào)耦合、電源濾波、諧振匹配等關(guān)鍵電路中發(fā)揮著重要作用。以0402封裝的10nF電容為例,其厚度僅0.5mm,采用100層介質(zhì)堆疊,每層厚度不足1μm,卻能承受50V工作電壓,等效串聯(lián)電阻低至5mΩ以下。
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- [電子器件百科]電感特性分析與技術(shù)應(yīng)用2025年02月13日 08:30
- 在電子系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換與信號(hào)處理中,電感作為核心無(wú)源元件,其特性參數(shù)直接影響電路性能。精確分析電感特性需要從材料、結(jié)構(gòu)、頻率響應(yīng)等多維度展開(kāi),現(xiàn)代檢測(cè)技術(shù)已實(shí)現(xiàn)從直流到GHz頻段的全面參數(shù)解析。鐵氧體磁芯電感在100kHz開(kāi)關(guān)電源中表現(xiàn)出優(yōu)異性能,其飽和磁通密度可達(dá)400mT,配合0.2mm氣隙設(shè)計(jì)可將磁芯損耗降低40%。繞線(xiàn)工藝的進(jìn)步使0402封裝電感實(shí)現(xiàn)47nH量值,自諧振頻率突破3GHz,滿(mǎn)足5G通信設(shè)備24GHz頻段的需求。
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- [電子器件百科]電容無(wú)極性和有極性的性能差異2025年01月17日 11:43
- 無(wú)極性電容和極性電容“性能”是否相同?不同的是,電容性能指的是使用要求和最大化要求。如果在電視電源中使用金屬氧化物薄膜電容進(jìn)行濾波,濾波所需的電容容量和耐壓應(yīng)達(dá)到。大多數(shù)非極性電容小于1微法,并參與諧振、耦合、頻率選擇、限流等。當(dāng)然也有容量大的、高耐壓電容器,主要用于無(wú)功補(bǔ)償、電機(jī)的移相、變頻功率傳輸和其他用途。
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- [電子器件百科]多層陶瓷電容與耦合電容2024年10月17日 14:17
- 我們經(jīng)??梢钥吹饺ヱ铍娙萁釉陔娫春偷刂g它有三個(gè)功能:一種是作為集成電路的儲(chǔ)能電容器;二是濾除器件產(chǎn)生的高頻噪聲,通過(guò)供電電路切斷其傳輸路徑;第三是防止電源攜帶的噪聲干擾電路。濾波電路中使用的陶瓷電容稱(chēng)為濾波電容。濾波電容器將從總信號(hào)中去除特定頻帶中的信號(hào)。LC諧振電路中使用的安全電容稱(chēng)為諧振電容,是LC并聯(lián)和串聯(lián)諧振電路所必需的。儲(chǔ)能就是儲(chǔ)存電能,以便在需要的時(shí)候釋放出來(lái)。
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- [電子器件百科]獨(dú)石電容器分類(lèi)特點(diǎn)2024年08月08日 08:22
- 單片電容器實(shí)際上是一種由多層陶瓷制成的電容器,體積很小、壽命長(zhǎng)、高度安全。單片電容器是多層陶瓷電容器的別稱(chēng),簡(jiǎn)稱(chēng)MLCC,廣泛應(yīng)用于電子精密儀器中。各種用于諧振、耦合、濾波、繞過(guò)小型電子設(shè)備。第三種是半導(dǎo)體Y5V電介質(zhì),介電常數(shù)高,常用來(lái)產(chǎn)生大容量、大比容量和高標(biāo)稱(chēng)容量的電容器。
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- [電子器件百科]天線(xiàn)調(diào)諧電感的介紹2024年06月28日 16:38
- 天線(xiàn)調(diào)諧電感是一種用于無(wú)線(xiàn)通信和收發(fā)信號(hào)的設(shè)備。它是一個(gè)電感元件,用于調(diào)整天線(xiàn)系統(tǒng)的諧振頻率,以最大限度地提高信號(hào)的傳輸效率和接收性能。
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- [電子器件百科]極性電容器和非極性電容器2024年06月21日 09:30
- 原則上,極性電容器和非極性電容器是一樣的,它們都存儲(chǔ)和釋放電荷;電極板上的電壓不得突然變化。性能是使用的要求,最大化的需求是使用的要求。也就是說(shuō),正極必須連接到高電位端子,負(fù)極必須連接到低電位端子。大部分無(wú)極電容在1微法以下,參與諧振、偶合、頻率選擇、流量限制等。
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- [電子器件百科]電解電容的分類(lèi)差異2024年06月20日 16:05
- 電解電容器的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)鋁殼,里面充滿(mǎn)電解液形成正負(fù)兩個(gè)電極,構(gòu)成電解的基本結(jié)構(gòu)。它的主要作用是濾波,即減少紋波、電流穩(wěn)定,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源等產(chǎn)品中。它的工作過(guò)程可以理解為一個(gè)充放電過(guò)程,所以不消耗理想電解電容的能量。不消耗能量意味著不會(huì)發(fā)熱,但實(shí)際電容會(huì)因?yàn)閮?nèi)阻而發(fā)熱。鋁電解電容器在頻率高于一定條件時(shí)會(huì)發(fā)生諧振。
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- [電子器件百科]電容的額定電壓2024年03月29日 09:36
- 額定電壓是指在低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下持續(xù)施加于電容器的大DC電壓。如果工作電壓超過(guò)電容器的電壓,電容器就會(huì)崩潰并造成損壞。事實(shí)上,隨著溫度的升高,耐壓性會(huì)降低。因此,有必要避免電容器在諧振頻率以上工作。我們知道任何物質(zhì)都是相對(duì)絕緣的當(dāng)物質(zhì)兩端的電壓增加到一定程度時(shí),該物質(zhì)可以導(dǎo)電,這稱(chēng)為電壓擊穿電壓。
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- [電子器件百科]濾波電容器的選用2024年03月25日 11:41
- 濾波還應(yīng)該包括兩個(gè)方面,也就是你所說(shuō)的大電容和小電容,也就是去耦和旁路。原理我就不贅述了。出于實(shí)用目的,通常數(shù)字電路可以通過(guò)0.1uF去耦,并在10M下列使用。在20M超過(guò),使用1至10 uF,這是更好地去除高頻噪聲,可能根據(jù)C=1/f。旁路通常相對(duì)較小,通常為0.1或0.01uF取決于諧振頻率。
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