半導(dǎo)體器件中有 效電極的數(shù)目用數(shù)字表示。用漢語拼音字母表來表示半導(dǎo)體器件的材料和極性，當(dāng)二極管表示時，a-N鍺材料，B-P鍺材料，C-N型硅材料，D-P型硅材料，當(dāng)晶體管表示時，A-PNP鍺材料，B-NPN鍺材料，C-PNP型硅材料和D-NPN型硅材料。用漢語拼音字母來表示半導(dǎo)體器件的類型。T-半導(dǎo)體晶閘管(≤gt3mhz)，Y體效應(yīng)器件，B-雪崩管，J級恢復(fù)晶體管，CS場效應(yīng)晶體管，BT半導(dǎo)體專用器件，F(xiàn)H復(fù)合管，PIN-PIN管，JG-激光器件.。

半導(dǎo)體器件的模型由五部分組成(場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體專用器件、復(fù)合管、PIN管、激光器件僅第三、四、五部分)，這五部分的含義如下：

第 一部分：半導(dǎo)體器件中有 效電極的數(shù)目用數(shù)字表示。2-二極管，3-晶體管

第 二部分：用漢語拼音字母表來表示半導(dǎo)體器件的材料和極性，當(dāng)二極管表示時：a-N鍺材料，B-P鍺材料，C-N型硅材料，D-P型硅材料，當(dāng)晶體管表示時，A-PNP鍺材料，B-NPN鍺材料，C-PNP型硅材料和D-NPN型硅材料。

第三部分：用漢語拼音字母來表示半導(dǎo)體器件的類型。P-普通管，V-微波管，W-穩(wěn)壓管，C-參量管，Z-整流管，L-整流電抗器，S-隧 道管，N-阻尼管，U-光電子器件，K-開關(guān)管，X-低頻低頻低功率管(F≤Ltd.3 MHz，Pc3MHz)，D-低頻高功率管(F1W)，A-高頻高功率管(f≤gt 3 mhz)，A-高頻高功率管(f≤gt 3mhz)1W，T-半導(dǎo)體晶閘管(≤gt3mhz)，Y體效應(yīng)器件，B-雪崩管，J級恢復(fù)晶體管，CS場效應(yīng)晶體管，BT半導(dǎo)體專用器件，F(xiàn)H復(fù)合管，PIN-PIN管，JG-激光器件.

第四部分：用數(shù)字表示序列號。

第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號，例如：3 dg 18表示npn型硅高頻晶體管。

本文標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件 三極管 場效應(yīng)晶體管 半導(dǎo)體材料 上一篇：半導(dǎo)體器件的類型與特性 下一篇：半導(dǎo)體器件的標(biāo)記與含義2