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半導體器件是指導電性介于導體和絕緣體之間的電子器件。它可以利用半導體材料的特殊電學特性來完成特定的功能,從而產(chǎn)生、控制、接收、轉(zhuǎn)換信號、放大信號和轉(zhuǎn)換能 量。由于橫向電場的影響,場效應晶體管依靠一層薄的半導體來改變電阻,從而具有放大信號的功能。薄層半導體兩端的兩個電極稱為源和漏極。
半導體器件是指導電性介于導體和絕緣體之間的電子器件。它可以利用半導體材料的特殊電學特性來完成特定的功能,從而產(chǎn)生、控制、接收、轉(zhuǎn)換信號、放大信號和轉(zhuǎn)換能 量。
由于橫向電場的影響,場效應晶體管依靠一層薄的半導體來改變電阻(簡稱場效應),從而具有放大信號的功能。薄層半導體兩端的兩個電極稱為源和漏極??刂茩M向電場的電極稱為柵極。
根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場效應晶體管可分為三種類型:
1結(jié)場效應晶體管(PN結(jié)構(gòu)柵)
2 MOS場效應晶體管(金屬氧化物半導體柵,見金屬絕緣體半導體系統(tǒng))
3 MES場效應晶體管(柵由金屬和半導體觸頭組成),其中MOS場效應管的應用廣泛。特別是在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中,MOS大規(guī)模集成電路具有獨特的優(yōu)勢。MES場效應晶體管一般用于GaAs微波晶體管中。
在MOS器件的基礎上,研制了一種電荷耦合器件(CCD),它以存儲在半導體表面附近的電荷為信息,控制表面附近的勢阱,將電荷轉(zhuǎn)移到接近表面的某一方向。這種器件通??捎米餮舆t線、存儲器等,配備光電二極管陣列,可用作攝 像管。