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    多層陶瓷電容的性能參數

    返回列表來源:新晨陽 發(fā)布日期: 2020.07.08 瀏覽:0

    實際電容與標稱電容之間的允許偏差范圍為:J±0.05,K±0.1,M±0.2,密電容器的允許誤差小,電解電容器的允許誤差大,誤差等級不同,常用電容器的精度等級與電阻器相同,字母D-±0.005 F-±0.01 G-0.02 J-±0.05 K-0.1 M-0.2。這些損耗主要來自介電損耗和金屬損耗。通常用損失角正切值表示。磨損的標準配方是使用百分比,如COG要求。

    多層陶瓷電容的性能參數-電容知識-新晨陽電子

    (1)容量和誤差:實際電容與標稱電容之間的允許偏差范圍為:J±0.05,K±0.1,M±0.2,精 密電容器的允許誤差小,電解電容器的允許誤差大,誤差等級不同,常用電容器的精度等級與電阻器相同,字母D-±0.005 F-±0.01 G-0.02 J-±0.05 K-0.1 M-0.2。

    (2)額定工作電壓:電容器在電路中能長時間穩(wěn)定可靠地工作,大直流電壓也稱為耐壓。對于結構、介質和容量相同的器件,電壓越高,體積越大。

    (3)溫度系數:在一定溫度范圍內,每一溫度變化1℃,電容相對變化,溫度系數越小,越好。

    (4)絕緣電阻(IR):用于表示漏電流。一般小容量電容器,絕緣電阻很大,以數百兆或千兆歐姆計。電解電容器的絕緣電阻一般較小。相對來說,絕緣電阻越大,越好,泄漏也越小。一般C0G級"1000ΩF,X7R和Y5V級"500ΩF"。

    (5)損耗(DF):電容器在電場作用下加熱所消耗的能 量。 這些損耗主要來自介電損耗和金屬損耗。 通常用損失角正切值表示。 磨損的標準配方:使用百分比,例如:COG要求。



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