由于電容器工作在高頻時(shí)的介電常數(shù)小于低頻時(shí)的介電常數(shù)，因此電容器的電容量相應(yīng)減小。不同型號(hào)的電容，高使用頻率是不一樣的。小云母電容在250MHz以內(nèi)； 晶圓陶瓷介質(zhì)電容為300MHz； 管式陶瓷介質(zhì)電容器為200MHz； 圓盤陶瓷介質(zhì)為3000MHz； 小紙介電容器80MHz； 介質(zhì)紙介質(zhì)電容僅為8MHz。RES對(duì)頻率敏 感，并隨頻率的增加而增 大。

頻率特性:電容器的電參數(shù)隨電場(chǎng)頻率而變化的性質(zhì)。由于電容器工作在高頻時(shí)的介電常數(shù)小于低頻時(shí)的介電常數(shù)，因此電容器的電容量相應(yīng)減小。另外，當(dāng)電容器工作在高頻時(shí)，電容器的分布參數(shù)，如電極的電阻，引線與電極之間的電阻，電極的電感，引線的電感等都會(huì)影響電容器的性能損耗也隨著頻率的增加而增加。 所有這些都限 制了電容的使用頻率。 不同型號(hào)的電容，高使用頻率是不一樣的。 小云母電容在250MHz以內(nèi)； 晶圓陶瓷介質(zhì)電容為300MHz； 管式陶瓷介質(zhì)電容器為200MHz； 圓盤陶瓷介質(zhì)為3000MHz； 小紙介電容器80MHz； 介質(zhì)紙介質(zhì)電容僅為8MHz。

下面有幾個(gè)值得注意的參數(shù)

TCC：的溫度和容量特性與接近室溫的X7R產(chǎn)品不同。

ESR：等效串聯(lián)電阻

ESL：等效串聯(lián)電感

Q值：它是DF、ESR和ESL的綜合，在高頻電路中受到更多的關(guān)注。

在芯片多層元件中，ESR(RES)主要由介質(zhì)層電阻、內(nèi)電極層電阻、接觸表面電阻和端電極電阻組成，其中接觸表面電阻包括端電極與內(nèi)電極之間的接觸、不同端電極電鍍層之間的接觸等。RES對(duì)頻率敏 感，并隨頻率的增加而增 大。

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