該芯片電阻器具有三層電極結(jié)構(gòu)表面電極為銀電極，中間電極鍍鎳，外部電極鍍錫表面電極材料是金屬導(dǎo)電的，第二保護(hù)涂層是非金屬的邊界區(qū)域中的電涂層非常薄或者不形成導(dǎo)電層，導(dǎo)致間隙或縫隙，尤其是當(dāng)?shù)诙Ｗo(hù)層的邊界不規(guī)則時(shí)?；亩伪Ｗo(hù)與電極涂層的界面最弱，侵入過程如圖1所示。外界的硫腐蝕性氣體通過二次保護(hù)層與電極的結(jié)合處滲透到表面電極中，使表面電極上的銀生成硫化物Ag2S、FlqT-Ag2S(高電阻)，使電阻失去導(dǎo)電性。

該芯片電阻器具有三層電極結(jié)構(gòu)表面電極為銀電極，中間電極鍍鎳，外部電極鍍錫表面電極材料是金屬導(dǎo)電的，第二保護(hù)涂層是非金屬的邊界區(qū)域中的電涂層非常薄或者不形成導(dǎo)電層，導(dǎo)致間隙或縫隙，尤其是當(dāng)?shù)诙Ｗo(hù)層的邊界不規(guī)則時(shí)?；锥伪Ｗo(hù)和電極涂層之間的界面較弱。外界的硫腐蝕性氣體通過二次保護(hù)層與電極的結(jié)合處滲透到表面電極中，使表面電極上的銀生成硫化物Ag2S、FlqT-Ag2S(高電阻)，使電阻失去導(dǎo)電性。

為了避免電阻硫化，一個(gè)好的方法是使用抗硫化電阻(或全膜工藝電阻或插件電阻)通過擴(kuò)大二次保護(hù)涂層的設(shè)計(jì)尺寸，在底電極上覆蓋二次保護(hù)，使得鎳層和錫層在電鍍過程中很容易覆蓋二次保護(hù)涂層，使得二次保護(hù)涂層相對薄弱的邊緣直接暴露在空氣環(huán)境中，從而提高了產(chǎn)品的抗硫化物能力。

設(shè)計(jì)思路是從封裝和覆蓋的角度出發(fā)。羅門公司s抗硫化設(shè)計(jì)，保護(hù)層采用導(dǎo)電樹脂膠，覆蓋表面電極并延伸至二級保護(hù)層。另一種抗硫化設(shè)計(jì)是從材料的角度，比如添加表面電極Ag/鈀漿料中鈀的含量從0.5%提高到10%以上。由于漿液中鈀含量的增加，鈀的穩(wěn)定性提高了硫化性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方法是有效的。

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