傳統(tǒng)鉭電容器的ESR主要來源于正極材料MnO 2。相反，聚等導電聚合物的電導率在100 S/cm范圍內(nèi)，電導率的增加直接轉(zhuǎn)化為ESR的顯著下降。不同額定值下的ESR-頻率曲線顯示了鉭電容器用聚合物陰極系統(tǒng)的優(yōu)點，通過直接比較MnO 2的ESR-頻率曲線和A殼6.3V/47μF額定值條件下的聚合物設(shè)計，可以看出，在100 kHz頻率下，聚合物設(shè)計可使ESR降低一個數(shù)量級。引線框架材料是另一個可以通過切換到更高電導率的材料來改 善ESR的領(lǐng)域。

傳統(tǒng)鉭電容器的ESR主要來源于正極材料MnO 2。MnO 2的電導率約為0.1s/cm。相反，聚(3，4-乙烯二氧噻吩)等導電聚合物的電導率在100 S/cm范圍內(nèi)，電導率的增加直接轉(zhuǎn)化為ESR的顯著下降。

不同額定值下的ESR-頻率曲線顯示了鉭電容器用聚合物陰極系統(tǒng)的優(yōu)點，通過直接比較MnO 2的ESR-頻率曲線和A殼6.3V/47μF額定值條件下的聚合物設(shè)計，可以看出，在100 kHz頻率下，聚合物設(shè)計可使ESR降低一個數(shù)量級。

不同材料的電導率

引線框架材料是另一個可以通過切換到更高電導率的材料來改 善ESR的領(lǐng)域。如圖3中的電容橫截面所示，引線框架提供了從內(nèi)部電容器元件到封裝外部的電氣連接。

Fe-Ni合金(如Alloy42)一直是引線框架材料的傳統(tǒng)選擇。這些合金的優(yōu)點包括：熱膨脹系數(shù)(CTE)低，成本低，易于制造。銅引線框架材料加工工藝的改進，使其可用于鉭電容設(shè)計。由于ESR的電導率是Alloy42的100倍，所以銅的使用對ESR有重要的影響。例如，使用A殼(EIA 3216)和傳統(tǒng)引線框架的Vishay 100μF/6.3VT55聚合物鉭電容器在100 kHz和25°C下提供了70mΩ的大ESR，通過更換銅引線框架，大ESR可降至40mΩ。

鉭電容緊湊型和提高鉭電容設(shè)計體積效率(電容密度)的兩個主要因素是鉭粉的演變和包裝的改進。

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